Ученые Сибирского отделения Российской академии наук получили новый материал, на основе которого можно создавать тонкие пленки, которые активно используются в создании новых технологий. Об этом сообщается на сайте издания Сибирского филиала РАН.
Вместе с открытием ранее неизвестных свойств меди, полученные результаты «могут стать технологическим прорывом в разработке резисторов и транзисторов нового поколения», отмечается в материале. Транзисторы и резисторы, в свою очередь, являются компонентами практически всех электронных устройств.
Сейчас в различных технологических сферах, в том числе при производстве преобразователей солнечной и тепловой энергии в электрическую, активно используются тонкие пленки на основе обычного нитрида титана. Красноярские ученые вследствие совершения ряда «случайных технических ошибок и исследования их последствий» получили материал для тонких пленок из оксинитрида титана, легированного медью (то есть с добавлением меди). По словам ученых, их новый материал «обладает электрическим сопротивлением в тысячу раз меньше, чем у обычного нитрида титана», причем получен новый материал был сравнительно дешевым способом.
Но это не единственный удивительный результат, который красноярские исследователи получили в ходе эксперимента — они параллельно открыли сегрегацию меди — «медь вместо того, чтобы равномерно распределяться по пленке, стала всплывать на поверхность и накапливаться там узким слоем в 5-10 нанометров».
«Меняя степени легирования, можно получать разные типы проводимости. При этом, в случае сильного легирования, из меди получался полуметалл со свойствами как металлов, так и неметаллов. В результате мы получили возможность создавать проводящие слои. Это может пригодиться в приборостроении, например, для устройств, которые работают на высоких частотах. Поэтому данная разработка в перспективе может пригодиться для приборов, которым необходимо низкое сопротивление, например, транзисторов, резисторов, конденсаторов, фотокатализаторов и солнечно-селективных поглощающих покрытий», — объяснил ценность полученных результатов и перспективы их практического применения Института физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН Филипп Барон.