Специалисты IBM и Samsung описали перспективу достижения недельной автономности смартфона, сообщает издание The Verge. Согласно новой технологии, инженеры двух компаний предложили новый способ расположения транзисторов в чипах - вертикально вместо привычного горизонтального. Ученые полагают, что существующую технологию FinFET сменит Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET). В данном случае электроэнергия подается вертикально, что заметно оптимизирует ее распределение по компонентам чипов.
По оценке специалистов, новый способ позволит заметно сократить потребление электроэнергии при пользовании смартфоном. Инженеры компаний утверждают, что существует техническая возможность двукратного улучшения производительности или сокращения потребления энергии на 85% по сравнению с технологией FinFET. Специалисты IBM и Samsung отметили, что новая технология позволит не только увеличить автономность аккумуляторов смартфонов, но и сделать способ майнинга криптовалюты и шифрования данных менее энергоемкими.
В середине ноября текущего года IBM представила новый чип Eagle для квантовых вычислений, помимо этого исследователи компании анонсировали достижение превосходства квантовых чипов над обычными в недалеком будущем.