Успешное завершение проекта по разработке установок плазмохимического осаждения и травления должно простимулировать создание полной линейки оборудования для производства интегральных схем, работающего по топологическим нормам 65 нм и ниже
Российская электронная промышленность сделала важный шаг к освоению выпуска микросхем по топологическим нормам 65 нм на кремниевых пластинах диаметром 300 мм с возможностью использования пластин диаметром 200 мм. Разработаны и произведены установки плазмохимического осаждения (ПХО) и плазмохимического травления (ПХТ). Это значимые звенья в технологической цепочке производства интегральных схем, на которые приходится значительная его часть. И, что крайне важно, 65 нм — это не предел: возможно уменьшение топологических норм до уровня 28 нм и ниже за счет дополнительных настроек и модернизации оборудования.
Проект реализован совместными усилиями Научно-исследовательского института молекулярной электроники (ННИМЭ) и Научно-исследовательского института точного машиностроения (НИИТМ). Оба института входят в группу компаний «Элемент», которая объединяет более 30 предприятий отрасли, в том числе в ее состав входит завод «Микрон», крупнейший российский производитель микроэлектронной продукции. ГК была создана в 2019 году на базе активов АФК «Система» и госкорпорации «Ростех» для консолидации отрасли микроэлектроники с целью создания отечественной электронной продукции.
НИИМЭ в проекте создания кластерных установок по плазмохимическому осаждению и травлению взял на себя разработку технологических процессов, НИИТМ — разработку и производство самих установок. Заказчиком выступил Минпромторг, который в рамках программы развития электронного машиностроения профинансировал две ОКР (опытно-конструкторские работы): на ПХТ было выделено примерно 1,3 млрд рублей, на ПХО — 1,2 млрд рублей. Со стороны НИИМЭ тоже были вложения: в числе прочего были оборудованы чистые помещения, где собирались и тестировались установки, сделан подвод коммуникаций к ним.
Оформите подписку или войдите в аккаунт, чтобы дочитать статью до конца.
Читать полностью на сайте