Когда Дэн Сяопин начинал свои реформы, он решил обратиться к ведущим японским бизнесменам с вопросом, какую отрасль промышленности надо развивать в Китае в первую очередь. И те ответили: электронику, потому что, если у вас есть электроника, вы сможете делать всё». Электроника пронизывает всю технику, от холодильников до автомобилей, космических кораблей и вооружений, и становится все сложнее. И обеспечивает не только возможность всестороннего развития экономики, но и безопасность государства. Но если Китай тридцать лет назад вскочил на подножку уходящего поезда и с каждым годом все ближе к лидерам электронного мира, то Россия после развала Советского Союза только теряла свои позиции. И это было не случайно. Как несколько лет назад заметил в интервью «Эксперту» тогда еще генеральный директор компании «НИИМЭ и Микрон» Геннадий Красников, состояние производства микроэлектроники в России соответствовало состоянию промышленности в целом. «Если некому потреблять микроэлектронику, то бессмысленно ее развивать». А вице-премьер Юрий Борисов в одном из своих выступлений признал: «С девяностых годов фактически начался закат того, что было наработано в Советском Союзе… Сегодня глупо говорить, что в России существует серийное микроэлектронное производство. Мы даже отсутствуем в мировой статистике».

Видимо, наше правительство наконец тоже услышало совет японских бизнесменов, потому что соглашение и дорожная карта — это программа восстановления электронной отрасли практически в том виде, в каком она существовала во времена Советского Союза, который был единственной страной мира, где производилась практически вся номенклатура электронных компонентов и все необходимое для этого оборудование.

Такой всеобъемлющей программы развития микроэлектроники в современной России еще не принималось. Если более конкретно, то ключевой и самый сложный пункт программы — создание в России фабрик, работающих в режиме «фаундри» (то есть под заказ), для выпуска цифровых интегральных микросхем с топологическими нормами 28 нм, 14–12 нм, 7–5 нм. К слову сказать, строительство фабрики под 5 нм в США силами тайваньской компании TSMC (крупнейшего в мире производителя процессоров, уже обладающего технологией 7 нм) запланировано на период с 2024 по 2029 год.

Причем предполагается разработать технологии, специальные материалы, технологическое и контрольно-измерительное оборудование для производства фотошаблонов с проектными нормами 250 нм, 180 нм, 90 нм, 65 нм и 28 нм, а также решений для проектных норм 22–20 нм, 16–14 нм и менее для сверхбольших интегральных схем, СВЧ монолитных интегральных схем, полупроводниковых приборов, MEMS, опто- и фотоэлектроники, радиофотоники на подложках из материалов Si, GaAs, GaN, SiC, структур КНИ (кремний на изоляторе), гетероструктур А₃В₅ (GaAs, GaN/SiC) и А₂В₆. Мы специально приводим этот список, причем это лишь малая часть полного списка того, что предполагается разработать, чтобы был понятен размах планируемых работ.