Заказ размещен на разработку установки лазерного устранения дефектов и техпроцесс устранения дефектов на фотошаблонах для производства микросхем с топологией 90-65 нм, стартовая цена 1,16 млрд. рублей. Также будут профинансированы ОКР по разработке и производству установки контроля координат топологических элементов и критических размеров структур на фотошаблонах, опять же для производства 90-65-нанометровых чипов, в сумме 1,4 млрд. рублей. Помимо этого, 800 млн. рублей предполагается направить на образцы установок электрохимического осаждения для серийного производства микроэлектроники на пластинах 100 мм/4 дюйма и 200 мм/90 нм.
Чипы с топологией 90-65 используются в навигационных системах, банковских и социальных картах, RFID-метках и некоторых видах документов. Для российского рынка их производит зеленоградская компания «Микрон», которая до сих пор работает на западном оборудовании.
Также размещены контракты на ОКР с перспективными нитрид-галлиевыми технологиями, которые используются в системах быстрой зарядки для электромобилей, связи 5 G, в навигации и авионике. Это разработка технологии и инструмента «проектирования широкой номенклатуры СВЧ-компонентов, изготавливаемых на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на подложках карбида кремния с проектными нормами 0,25 мкм (250 нм)» и «номенклатуры СВЧ- и силовых компонентов, изготавливаемых на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на подложках кремния с проектными нормами до 0,25 мкм». Начальная цена этих лотов — 2,71 млрд руб. и 3,13 млрд руб. соответственно.
Предполагается, что работы по всем проектам будут выполнены в 2025–2026 гг.
