Прогноз развития российской микроэлектроники от президента РАН: 2 нм к 2040 году

Наталья Быкова
обозреватель «Монокль»
5 октября 2026, 06:00
№41

При сохранении темпов финансирования отечественной микроэлектроники отрасль перейдет на следующий технологический этап — 28 нм — к 2030–2031 годам, еще через два года освоит уровень 14 нм, при благоприятном сценарии к 2040 году выйдет на 2 нм, заявил президент Российской академии наук, академик Геннадий Красников на форуме «Микроэлектроника», который прошел с 29 сентября по 3 октября на площадке университета «Сириус».

GAVRIIL GRIGOROV:RUSSIAN PRESIDENTIAL PRESS AND INFORMATION OFFICE:TASS;
КАЖДЫЙ ТОПОНИМИЧЕСКИЙ РАЗМЕР ДАЕТСЯ ВСЕ СЛОЖНЕЕ, В ТОМ ЧИСЛЕ В ДЕНЕЖНОМ ЭКВИВАЛЕНТЕ, ГОВОРИТ ГЕННАДИЙ КРАСНИКОВ
Читайте Monocle.ru в

Ключевое звено в развитии микроэлектроники — оборудование для создания чипов, которое производит только одна компания в мире — голландская ASML, и оно находится под эмбарго для поставок в Россию. При поддержке государственной программы электронного машиностроения, как стало известно ранее, уже появился российский «степпер» для литографии, оборудование для атомарно-слоевого осаждения и травления, установки плазмохимического осаждения и травления пленок на пластинах различных диаметров, а также эпитаксиальные установки, в том числе для формирования нитрида галлия на кремнии. Идут работы по ионным имплантерам.

По словам Красникова, взятый курс может быть продолжен лишь при соответствующих инвестициях: создание одной фабрики следующего поколения стоит более триллиона рублей. При этом академик отметил, что запуск фабрики лишь часть задачи: одновременно нужно развивать и инфраструктуру, включая создание особо чистых материалов, которые всегда должны быть в доступе для электронных производств. И параллельно совершенствовать архитектуру чипов.

В мире в период с 2025 по 2028 год, отмечает глава РАН, ожидается освоение техпроцессов 2,0 и 1,4 нм на базе новой архитектуры Gate-All-Around, известной как нанолисты, где затвор полностью окружает канал, обеспечивая лучший электростатический контроль и в итоге выигрыш по энергопотреблению. К 2031–2034 годам произойдет переход к еще более совершенной конфигурации микросхем: в них транзисторы n-типа и p-типа будут располагаться не рядом, а друг над другом. Это поможет преодолеть барьер в 1 нм, а к 2040–2043-му откроет путь к нормам 0,3 и 0,2 нм. Такой переход позволит совершить гигантский скачок в обработке данных: если трехнанометровые чипы позволяют разместить более 100 млрд транзисторов, то чипы с топологией 0,2 нм на той же площади будут вмещать примерно 7 трлн транзисторов.

«Каждый топонимический размер дается все сложнее, в том числе в денежном эквиваленте. Всякий раз стоимость чистой комнаты растет, поэтому вход в отрасль имеет очень высокий порог», — добавил Геннадий Красников.

Однако усилия и затраты, по мнению президента РАН, оправданны: «Каждые десять лет производительность компьютеров возрастает в тысячу раз, а к началу сороковых годов увеличится еще в миллион раз по сравнению с тем, что мы имеем сейчас».